SID2026丨TCL华星全球首款超高迁50 ARR显示技术巅峰首发

  转载:TCL华星   2026-5-7   艾肯家电网

在高分辨率、高刷、低功耗的显示技术浪潮下,TCL华星超高迁50氧化物技术打破传统背板技术瓶颈,兼具高性能与低成本优势。搭载该技术的全球首款矩阵分区分频Oxide笔电屏,以ARR(AI Refresh Rate)多区动态变频技术实现0.01Hz超低刷新率,功耗直降50%,为AI PC与下一代显示设备提供高画质、低能耗的核心方案,引领LCD技术进入全新世代。

需求迭代驱动技术革新

LCD背板开启性能跃升新赛道

长期以来,LCD显示技术的性能提升,始终与背板驱动器件的演进紧密相关。随着行业对显示体验的要求持续升级,传统背板方案已难以全面匹配多元场景的综合需求:

- 非晶硅(a-Si)TFT:工艺成熟稳定,但迁移率水平有限,在高分辨率、高刷新率等高端应用场景中存在性能瓶颈,同时静态功耗控制难以满足当前低功耗设计的更高标准。- 低温多晶硅(LTPS)TFT:具备较高迁移率,可支撑高性能显示。但工艺复杂、成本高昂,且漏电流控制能力有限,难以兼顾低频低功耗需求,无法支持G8.5+大世代线面板。- 传统氧化物TFT:在低关态电流特性上表现优异,但迁移率仍有提升空间,难以同时实现高刷与高分辨率的协同优化,无法充分释放LCD技术的性能潜力。

随着消费级市场对笔记本、显示器的画质要求持续提升,专业市场对VR/AR、医疗显示等设备的性能需求不断增长,行业迫切需要一种兼具高迁移率、低功耗、高可靠性与低成本的全新背板技术,以突破LCD显示的性能天花板,TCL华星超高迁50氧化物技术正是在这一背景下应运而生。通过迁移率的大幅提升可实现real千刷超高频驱动,器件微型化提升穿透率及实现极窄边框,同时为单IC集成方案落地创造关键条件。

底层技术引领突破

超高迁50实现性能飞跃

TCL华星深研底层核心技术,携手细野秀雄教授重磅推出自主研发的超高迁50氧化物技术,通过三大核心技术突破,构建了高性能氧化物TFT的完整技术闭环。
工艺体系重构:构建极致均匀的氧化物半导体体系为实现氧化物半导体薄膜的极致均匀性与致密度,TCL华星率先突破传统工艺路径,引入业界领先的联动式旋转靶溅射成膜技术,叠加复合叠层设计抑制薄膜缺陷,增强耐药液腐蚀性,大幅提升器件均一性和稳定性,为高性能氧化物TFT筑牢根基。同时创新性的采用了复合修复工艺进行界面改善,彻底解决高迁材料In含量过高带来的器件及工艺问题,大幅提升材料迁移率。

核心器件攻坚:绝缘层氢氧平衡的精准调控,攻克超高迁移率器件的稳定性难题

超高迁移率氧化物TFT器件对水汽、氢、氧等环境与制程变量高度敏感,绝缘层中氢氧组分的失衡将直接导致器件性能劣化。TCL华星基于氧化物器件的机理研究与工艺积累,构建了前后沟道绝缘层的精准氢氧平衡调控体系,通过氢氧组分精准平衡、低缺陷界面构筑与高致密阻隔层制备,实现器件漏电抑制、缺陷态控制与环境阻隔能力的同步提升,保障器件在高迁移率下的稳定运行。

全链路设计优化:电路架构与TFT设计革新,释放超高迁50氧化物的性能潜能

随着氧化物半导体迁移率的提升,栅极对沟道的调控能力相对减弱,器件易出现阈值电压漂移问题;同时高迁移率器件输出电流显著提升,而氧化物材料本征导热系数较低,导致器件自发热效应加剧,制约性能与可靠性。TCL华星通过新型GOA电路架构开发、TFT器件结构优化与散热强化设计,实现电路架构与超高迁移率氧化物器件特性的深度适配,充分释放高迁移率材料的性能潜力,达成产品规格升级与高可靠性的双重目标。

目前,TCL华星在关键的器件特性方面已取得突破性成果:超高迁氧化物器件的电子迁移率可达50cm²/V·s,其Stress稳定性与已量产的氧化物水准相当,同时具备优异的耐压特性和可靠性,已展现出清晰的量产前景。TCL华星计划在2026年内实现该技术的量产突破,从而确立在氧化物显示技术领域的行业领先地位。

TCL华星ARR技术重磅亮相

屏幕迈入场景智能时代

TCL华星自适应分区刷新率(ARR)技术,采用超高迁50技术,搭配面板设计、材料到驱动算法的全链路创新突破,实现产品性能跃升,开拓笔电显示全新发展前景。

面板架构+驱动创新:构建水平+垂直双维度矩阵式分区驱动新形态

创新采用全新GOA设计搭配电路设计,突破传统显示限制,实现灵活分区控制。水平方向以“行”为最小物理分区,实现像素级精准控频;垂直方向依托COG IC完成硬件分区划分,再通过软件算法精准调控,软硬协同实现垂直方向灵活分区,真正做到屏幕任意区域刷新率独立可控,可按画面内容智能划分高刷、低刷区域,实现多区域差异化刷新。

超高迁50氧化物技术加持:赋能0.01~120Hz极限高低频稳定显示

基于超高迁50氧化物技术,实现0.01~120Hz的极限高低频稳定显示能力。有效攻克传统屏幕低频下亮度不均、画面闪烁等难点,保障了高低刷切换时屏幕亮度高度均一,无论是120Hz高刷动态画面,还是超低刷静态画面,均可呈现稳定细腻的视觉效果。

AI赋能:AI场景识别+AI PQ画质双维升级

依托AI智能赋能,搭载AI场景识别与AI PQ画质补偿双重算法能力。

AI场景识别可智能识别屏幕动态、静态内容,精准划分画面区域属性,按需智能调度高低刷区域;动态区域维持120Hz高刷画面丝滑流畅,静态文档区域可下探至0.01Hz超低刷新率,在不牺牲观感、无频闪的前提下,大幅削减屏幕功耗。

AI PQ画质补偿算法,针对不同刷新率分区智能调校亮度保障高低频区域的视觉差异;并针对不同内容场景动态调节色域、对比度、亮度,为用户带来优质的显示体验。

TCL华星长期深耕氧化物技术领域,实现了从常规氧化物到高迁30再到超高迁50的阶梯式技术突破:2024年完成常规氧化物IGZO量产落地,2025年达成高迁30氧化物技术量产,2026年将实现超高迁50氧化物技术的量产跨越。目前,搭载全球首款超高迁50氧化物技术的14英寸矩阵分区分频笔电屏已在SID完成全球首发,以行业首发的姿态确立了技术引领地位。

全球首款超高迁50最低刷ARR氧化物笔电显示(14")

TCL华星作为全球半导体显示产业的领导者,始终致力于技术创新与材料工艺的迭代升级,同时秉持“真正的技术创新源于对用户本质需求的洞察和对社会责任的担当”的理念,ARR技术正是这一理念的生动实践,我们期待将该突破性技术与全球顶级笔记本品牌伙伴分享,共同打造下一代AI PC产品。

未来,随着超高迁50氧化物技术的规模化落地,更多兼具高性能、低功耗与成本优势的显示产品将推向市场,为用户带来前所未有的视觉体验,也为显示行业的发展注入新的活力。TCL华星也将继续以“APEX臻图”技术理念为引领,深耕半导体显示技术,让每一块屏幕都成为看见美好未来的窗口。